![ИСОИ РАН Home page](../../../pic/logo5.gif)
|
   | 
 | 
 | 
ИССЛЕДОВАНИЯ | 
 | 
публикации |
разработки | конференции
|
    ИССЛЕДОВАНИЯ / РАЗРАБОТКИ /
МОДЕЛИРОВАНИЕ СУБВОЛНОВЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ СТРУКТУР
|
|
МОДЕЛИРОВАНИЕ СУБВОЛНОВЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ СТРУКТУР
На основе разностного решения системы уравнений Максвелла проведено моделирования
субволновых антиотражающих структур, сформированных технологией абляции
поверхности алмазной пленки с использованием эксимерного УФ-лазера, и
являющихся в общем случае непериодическими. При этом применялись две методики:
основанная на исследовании результирующего поля, и характеризующаяся наличием
границы раздела полей на результирующее и рассеянное. Для реализации первого
подхода было сформулировано "прозрачное" излучающее условие, значительно
превосходящее известные аналоги по точности. Это позволило провести корректное
сравнение полученных результатов с данными, найденными с помощью теории
эффективных сред и убедиться в адекватности разностного подхода. В отличии от
теории эффективных сред предложенный метод уместен для оценки модового состава
прошедшей и отраженной от антиотражающей поверхности электромагнитных волн.
Излучающее условие второго подхода было модифицировано с учетом неоднородности
оболочки, заключающей область вычислительного эксперимента. Традиционное
численное условие подразумевало исследование всего дифракционного элемента
целиком, в то время, как интерес представляет процесс дифракции падающей волны
исключительно на микрорельефе ДОЭ. Указанная модификация позволила ограничить
вычислительную область внешней средой с одной стороны и подложкой ДОЭ с другой, поместив в такую об-ласть лишь микрорельеф ДОЭ с антиотражающим покрытием. Полученное сокращение вы-числительной сложности алгоритма пропорционально отношению толщины всего ДОЭ с подложкой к высоте микрорельефа, которое обычно составляет несколько порядков.
Copyright c 1997, "ИСОИ РАН (IPSI RAS)", All Rights Reserved.
webmaster@smr.ru