ИСОИ / Mоделированиe субволновых антиотражающих структур

	ГЛАВНАЯ \| КАК НАС НАЙТИ \| ОБ ИНСТИТУТЕ \| ИССЛЕДОВАНИЯ \| СОТРУДНИЧЕСТВО \| КАРТА САЙТА публикации \| разработки \| конференции
ИССЛЕДОВАНИЯ / РАЗРАБОТКИ / МОДЕЛИРОВАНИЕ СУБВОЛНОВЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ СТРУКТУР

МОДЕЛИРОВАНИЕ СУБВОЛНОВЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ СТРУКТУР

На основе разностного решения системы уравнений Максвелла проведено моделирования субволновых антиотражающих структур, сформированных технологией абляции поверхности алмазной пленки с использованием эксимерного УФ-лазера, и являющихся в общем случае непериодическими. При этом применялись две методики: основанная на исследовании результирующего поля, и характеризующаяся наличием границы раздела полей на результирующее и рассеянное. Для реализации первого подхода было сформулировано "прозрачное" излучающее условие, значительно превосходящее известные аналоги по точности. Это позволило провести корректное сравнение полученных результатов с данными, найденными с помощью теории эффективных сред и убедиться в адекватности разностного подхода. В отличии от теории эффективных сред предложенный метод уместен для оценки модового состава прошедшей и отраженной от антиотражающей поверхности электромагнитных волн. Излучающее условие второго подхода было модифицировано с учетом неоднородности оболочки, заключающей область вычислительного эксперимента. Традиционное численное условие подразумевало исследование всего дифракционного элемента целиком, в то время, как интерес представляет процесс дифракции падающей волны исключительно на микрорельефе ДОЭ. Указанная модификация позволила ограничить вычислительную область внешней средой с одной стороны и подложкой ДОЭ с другой, поместив в такую об-ласть лишь микрорельеф ДОЭ с антиотражающим покрытием. Полученное сокращение вы-числительной сложности алгоритма пропорционально отношению толщины всего ДОЭ с подложкой к высоте микрорельефа, которое обычно составляет несколько порядков.