.../МОНОГРАФИИ/ФОРМИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКОГО МИКРОРЕЛЬЕФА ВО ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ ПЛАЗМЕ
ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ГАЗОВОГО РАЗРЯДА

ФОРМИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКОГО МИКРОРЕЛЬЕФА ВО ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ ПЛАЗМЕ
ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ГАЗОВОГО РАЗРЯДА

Литература:

  1. Методы компьютерной оптики / под ред. В.А. Сойфера. - М.: Физматлит, 2003. - 688 с.
  2. Дифракционная компьютерная оптика / под ред. В.А. Сойфера. - М.: Физматлит, 2007. - 736 с.
  3. Попов В.В. Материалы и методы для создания плоских фокусирующих элементов // Компьютерная оптика. - 1987. - № 1. - С. 160-163.
  4. Stern M.B. Binary Optics Fabrication // Micro-Optics: Elements, systems and applications. Edited by Hans Peter Herzig. - London.: Taylor and Francis Ltd., 1997. - P. 53-86.
  5. Голуб М.А., Живописцев Е.С., Карпеев С.В., Прохоров А.М., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Получение асферических волновых фронтов при помощи машинных голограмм // ДАН СССР. - 1980. - Т. 253. - № 5. - С. 1104-1108.
  6. Соловьев В.С., Бойко Ю.Б. Запись рельефных изображений на жидких фотополимеризующихся композициях // Компьютерная оптика. - 1990. - № 8. - С. 74-76.
  7. Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста // Компьютерная оптика. - 1996. - № 16. - С.12-14.
  8. Gale M.T. Direct Writing of Continuous-relief Micro-optics // Micro-Optics: Elements, systems and applications. Edited by Hans Peter Herzig. - London: Taylor and Francis Ltd., 1997. - P. 87-126.
  9. Павельев В.С., Сойфер В.А., Чичков Б.Н., Теме Т., Бюттнер Л., Дюпарре М., Людге Б. Синтез ДОЭ, формирующего кольцевую LP-моду, с помощью технологии прямой абляции кварцевой пластины излучением УФ-лазера // Компьютерная оптика. - 2002. - № 24. - С.66-69.
  10. Полищук А.Г. Методы формирования профиля поверхности дифракционных оптических элементов // Компьютерная оптика. - 1998. - № 16. - С. 54-61.
  11. Валиев К.А., Мокроусов К.Я., Орликовский А.А. Исследование кинетики травления полиметилметакрилата в низкотемпературной плазме // Поверхность. - 1987. - № 1. - С. 53-57.
  12. Rybakov O.Ye., Usplenjev G.V., Volkov A.V. DOE manufacturing technology based on plasma etching // Proceeding of 5 International Workshop DIP 94. -1994. - P. 80-81.
  13. Stern M. B., Jay T.R. Dry etching for coherent refractive microlens arrays // Optical Engineering. - 1994. - Vol. 33. - № 11. - Р. 3547-3551.
  14. Brundrett D.L, Gaylord T.K., Glytsis E.N. Polarizing mirror/absorber for visible wavelengths based on a silicon subwavelength grating: design and fabrication // Applied Optics. - 1998. - Vol. 37. - № 13. - Р. 2534-2541.
  15. Lalanne P., Astilean S., Chavel P., Cambril E., Launois H. Design and fabrication of blazed binary diffractive elements with sampling periods smaller than the structural cutoff // Optical Society of America. - 1999. - Vol. 16. - № 5. - Р. 1143-1156.
  16. Волков А.В. Методы и экспериментальные установки формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов видимого и инфракрасного диапазонов волн: дисс. доктора техн. наук: 01.04.01: защищена 07.03.02: утв. 26.09.02 / Волков Алексей Васильевич. - Самара, 2002. - 250 с. - 05200201767.
  17. Моисеев О.Ю. Исследование методов формирования микрорельефа дифракцирнных оптических элементов инфракрасного диапазона с использованием фоторезистов и фотополимерных композиций: дисс. канд. техн. наук: 01.00.01: защищена 07.06.00: утв. 26.12.00 / Моисеев Олег Юрьевич. - Самара, 2000. - 125 с. - 05245271765.
  18. Перескокова А.П., Солодовникова Л.В., Акимова А.М. Применение трибометрического метода для контроля чистоты поверхности деталей и технологических сред // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. - 1979. - вып. 1. - С. 143-151.
  19. Бородин С.А. Исследование процесса растекания капли жидкости, наносимой на поверхность подложки // Компьютерная оптика. - 2006. - № 28. - С. 66-69.
  20. Бородин С.А., Волков А.В., Казанский Н.Л. Автоматизированное устройство для оценки степени чистоты подложки по динамическому состоянию капли жидкости, наносимой на ее поверхность // Компьютерная оптика. - 2006. - № 28. - С. 70-75.
  21. Нефедов В.И., Черепнин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел - М.: Наука, 1983. - 257 с.
  22. Вудрав Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности / пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 564 с.
  23. Борисов С.Ф. Межфазная граница газ-твердое тело: структура, модели, методы исследования. - Екатеринбург: Физматлит, 2001. - 643 с.
  24. Horn M.W., Hartney M.A., Kunz R.R. Comparison of etching tools for resist pattern transfer // Optical Engineering. - 1993. - Vol. 32. - № 10. - Р. 2388-2394.
  25. Bergmann K., Schriever G., Rosier O., Muller M., Neff W., Lebert R. Highly repetitive, extreme-ultraviolet radiation source based on a gas-discharge plasma // Applied Optics. - 1999. - Vol. 38. - № 25. - Р. 5413-5417.
  26. Bollinger D., Gallatin G., Samuels J., Steinberg G., Zarowin C. Rapid, noncontact optical figuring of aspheric surfaces with plasma-assisted chemical etching / Baker L.R., Reid P.B. and Sanger G.M., eds. // Advanced Optical Manufacturing and Testing, Proceedings of SPIE. - 1990. - Vol. 1333. - Р. 44-57.
  27. Mori Y., Yamamura K., Yamauchi K., Yoshii K., Kataoka T., Endo K., Inagaki K., Kakiuchi H. CVM (chemical vaporization machining) - an ultra precision machining with high pressure reactive plasma // Technol. Rep. Osaka University - 1993. - Vol. 43. - Р. 261-266.
  28. Takino H., Shibata N., Itoh H., Kobayashi T., Tanaka H., Ebi M., etc. Computer numerically controlled plasma chemical vaporization machining with a pipe electrode for optical fabrication // Applied Optics. - 1998. - Vol. 37. - Р. 5198-5210.
  29. Boehm G., Frank W., Schindler A., Nickel A., Thomas H.J., Bigl F. and Weiser M. Plasma jet chemical etching - a tool for the figuring of optical precision aspheres / Furukawa Y., Mori Y. and Kataoka T., eds. Proceedings of the Ninth International Conference on Production Engineering: Precision Science and Technology for Perfect Surfaces // Tokyo. The Japan Society for Precision Engineering, Chiyoda, 1999. - P. 231 - 236.
  30. Fu Y., Kok B., Ngoi A. Investigation of diffractive-refractive microlens array fabricated by focused ion beam technology // Optical Engineering. - 2001. -Vol. 40. - № 4. - Р. 511-516.
  31. Ekberg M., Sunesson A., Bergkvist M., Gustavsson A., etc. Laser-triggered high-voltage plasma switching with diffractive optics // Applied Optics. - 2001. - Vol. 40. - № 16. - Р. 2611-2617.
  32. Li C., Nikumb S. Optical quality micromachining of glass with focused laser-produced metal plasma etching in the atmosphere // Applied Optics. - 2003. - Vol. 42. - № 13. - Р. 2383-2387.
  33. Takino H., Shibata N., Itoh H., Kobayashi T., etc. Fabrication of optics by use of plasma chemical vaporization machining with a pipe electrode // Applied Optics. - 2002. - Vol. 41. - № 19. - Р. 3971-3977.
  34. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1. Реактивное ионное травление // Микроэлектроника. - 1999. - Т. 28. - № 5. - С. 344-362.
  35. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники // Микроэлектроника. - 1999. - Т.28. - № 6. - С. 415-426.
  36. Бурмаков А.П., Зайков В.А., Лабуда А.А., Черный В.Е. Неустойчивость процесса реактивного магнетронного распыления // Журнал прикладной спектроскопии. - 1996. - Т. 63. - № 6. - С. 1049-1053.
  37. Schoenbach K.H., Verhappen R., Tessnow T., Peterkin F.E., Byszewski W.W. Microhollow cathode discharges // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68. - № 1. - Р. 13-15.
  38. Stark Robert H., Schoenbach Karl H. Direct current high-pressure glow discharges // Appl. Phys. - 1999. - Vol. 85. - № 4. - Р. 2075-2080.
  39. Гаврилов Н.В., Емлин Д.Р., Никулин С.П. Генерация однородной плазмы в тлеющем разряде с полым анодом и широкоапертурным полым катодом // Письма в ЖТФ. - 1999. - Вып. 25. - № 12. - С. 83-88.
  40. Никулин С.П., Кулешов С.В. Генерация однородной плазмы в тлеющих разрядах низкого давления // Журнал технической физики. - 2000. - Вып. 70. - № 4. - С. 18-23.
  41. Визирь А.В., Окс Е.М., Щанин П.М., Юшков Г.Ю. Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для широкоапертурных ионных источников // Журнал технической физики. - 1997. - Вып. 67. - № 6. - С. 27-31.
  42. Pinnaduwage Lal A., Ding Weixing, McCorkle Dennis L. Enhanced electron attachment to highly excited molecules using a plasma mixing scheme // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 71. - № 25. - Р. 3634-3636.
  43. Пат. 5449977 США, МКИ Н 01 J 37/00. Устройство и способ возбуждения плазмы с однородной плотностью потока / Matsushita Electric Industrial Co. -Ltd.- №326360; Заявл. 20.10.94; Опубл. 12.09.95. приор. 14.4.92, №4-098056 (Япония); НКИ 315/111.51.
  44. Yasaka Yasuyoshi, Nakamura Tomokazu. Control of process uniformity by using electron cyclotron resonance plasma produced by multiannular antenna // Appl. Phys. Lett. -1996. - Vol.68. - № 11. - Р. 1476-1478.
  45. Fa Dai “Foster”, Wu Chwan-Hwa “John”. Assessment of self-consistent analytic model for inductive RF discharge and design of uniform discharge with planar-vertical antennas // IEEE Trans. Plasma Sci. - 1996. - Vol. 24. - № 3. - Р. 1155-1163.
  46. Заявка 19726663 Германия, МПК Н 05 H 1/46. Устройство для возбуждения однородных СВЧ волн в плазме / Sung-Spitzl H. -№19726663.0; Заявл. 23.06.97; Опубл. 28.01.99.
  47. Кудряшов С.А., Яфаров Р.К. Влияние неоднородного магнитного поля на распределение плотности плазмы СВЧ газового разряда с ЭЦР // Актуальные проблемы приборостроения // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции, Саратов, 10-12 сент. - 1996. - Ч. 2. - С. 95-96.
  48. Sittsworth J.A., Wendt A.E. Reactor geometry and plasma uniformity in a planar inductively coupled radio frequency argon discharge // Plasma Sources Sci. and Technol. - 1996. - Vol. 5. - № 3. - Р. 429-435.
  49. Uedo Yoko, Muta Hiroshi, Kawai Yoshinobu. Role of peripheral vacuum regions in the control of the electron cyclotron resonance plasma uniformity // Appl. Phys. Lett. - 1999. -Vol. 74. - № 14. - Р. 1972-1974.
  50. Korzec D., Werner F., Winter R., Engemann J. Scaling of microwave slot antenna (SLAN): a concept for efficient plasma generation // Plasma Sources Sci. and Technol. - 1996. - Vol.5. - №2. - Р. 216-234.
  51. Stittsworth J.A., Wendt A.E. Striations in a radio frequency planar inductively coupled plasma // IEEE Trans. Plasma Sci. - 1996. - Vol. 24. - № 1. - Р. 125-126.
  52. Doh Hyun-Ho, Yeon Chung-Kyu, Whang Ki-Woong. Effects of bias frequency on reactive ion etching lag in an electron cyclotron resonance plasma etching system // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1997. - Vol. 15. - № 3. - Pt 1. - P. 664-667.
  53. Ковалевский А.А., Малышев В.С., Цыбульский В.В., Сорокин В.М. Исследование процесса изотропного плазмохимического травления пленок диоксида кремния // Микроэлектроника. - 2002. - Т. 31. - № 5. - С. 344-349.
  54. Путря М.Г. Плазменные методы формирования трехмерных структур УБИС. - М.: МИЭТ, 2005. - 128 с.
  55. Woodworth J.R., Aragon B.P., Hamilton T.W. Effect of bumps on the wafer on ion distribution functions in high-density argon and argon-chlorine discharges // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 70. - № 15. - Р. 1947-1949.
  56. Hebner G.A., Blain M.G., Hamilton T.W. Influence of surface material on the boron chloride density in inductively coupled discharges // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1999. - Vol. 17. - № 6. - Р. 3218-3224.
  57. Miyata Koji, Hori Masaru, Goto Toshio. CFx radical generation by plasma interaction with fluorocarbon films on the reactor wall // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1996. - Vol. 14. - № 4. - Р. 2083-2087.
  58. Komine Kenji, Araki Nobusige, Noge Saturu, Ueno Hiroki, Hohkawa Kohji. Residuals caused by the CF4 gas plasma etching process // Jap. J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 35. - № 5b. - Pt. 1.- Р. 3010-3014.
  59. McLane G.F., Dubey M., Wood M.C., Lynch K.E. Dry etching of germanium in magnetron enhanced SF6 plasmas // J. Vac. Sci. and Technol. B. - 1997. - Vol. 15. - № 4. - Р. 990-992.
  60. Stoffels W.W., Stoffels E., Tachibana K. Polymerization of fluorocarbons in reactive ion etching plasmas // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1998. - Vol. 16. - № 1. - Р. 87-95.
  61. Schwarzenbach W., Cunge G., Booth J.P. High mass positive ions and molecules in capacitively-coupled radio-frequency CF4 plasmas // J. Appl. Phys. - 1999. - Vol. 85. - № 11. - Р. 7562-7568.
  62. Mieno T., Samukawa S. Generation and extinction characteristics of negative ions in pulse-time-modulated electron cyclotron resonance chlorine plasma // Plasma Sources Sci. and Technol. - 1997. - Vol. 6. - № 3. - Р. 398-404.
  63. Вагнер И.В., Болгов Э.И., Гракун В.Ф., Гохвельд В.Л., Кудлай В.А. Элементарная ячейка для формирования электронных пучков произвольной формы в высоковольтном разряде в газе // Журнал технической физики. -1974. - Т. 44. - Вып. 8. - С.1669-1674.
  64. Комов А.Н., Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. Электронно-лучевая установка для пайки элементов полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. - 1984. - № 5. - С. 218-220.
  65. Колпаков А.И., Расстегаев В.П. Расчет электрического поля газоразрядной пушки высоковольтного типа. - Деп. в ВИНИТИ 18.04.79, №1381-79 Деп.
  66. Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. Ионно-плазменная очистка поверхности контактов реле малой мощности // Электронная промышленность. - 1996. - № 2. - С. 41-44.
  67. Вагнер И.В., Болгов Э.И., Гракун В.Ф., Гохвельд В.Л., Кудлай В.А. //Автоматическая сварка. - 1972. - № 12. - С. 27.
    Handle S.K., Nordhage F.R. Method for triggering high voltage vacuum discharges // J. Appl. Phys. - 1997. - Vol. 81. - № 9. - Р. 6473-6475.
  68. Донко З., Рожа К., Шалаи Л. Высоковольтный разряд с полым катодом: применение в лазерной технике и моделирование движения электронов // Физика плазмы. - 1998. - Т. 24. - № 7. - С. 637-648.
  69. Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. Устройство экспресс-контроля чистоты поверхности диэлектрических подложек // Приборы и техника эксперимента. - 1995. - № 5. - С.199-200.
  70. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В., Ивлиев Н.А. Оптимизация параметров устройства трибометрического измерения чистоты поверхности подложек // Компьютерная оптика. - 2005. - № 28. - С. 76-79.
  71. Орликовский А.А., Руденко К.В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Ч. I // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 2. - С. 85-105.
  72. Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Ч. II // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 3. - С. 163-182.
  73. Орликовский А.А., Руденко К.В.Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Ч. III // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 5. - С. 323-344.
  74. Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Ч. IV // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 6. - С. 403-433.
  75. Аверкин С.Н., Ершов А.П., Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. Сравнительные характеристики плотной плазмы ВЧ- и СВЧ-разряда в установке плазменно-иммерсионной ионной имплантации // Микроэлектроника. - 2003. - Т. 32. - № 5. - С. 363-373.
  76. Орликовский А.А., Руденко К.В., Аверкин С.Н. Прецизионные плазмохимические процессы микроэлектроники на базе серии пилотных установок с масштабируемым ICP-источником плазмы // Химия высоких энергий. - 2006. - Т. 40. - № 2. - С. 1-13.
  77. Аверкин С. Н., Валиев К.А. и др. Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии плазменных установок для микро- и нанотехнологий // Труды ФТИАН: Наука. - 2005. - Т. 18. - С. 121-137.
  78. Руденко К. В., Фадеев А.В., Орликовский А.А. Малоракурсная 2d-томография пространственных неоднородностей плазмы в технологических реакторах микроэлектроники // Труды ФТИАН: Наука. - 2005. - Т. 18. - С. 208-218.
  79. Аверкин С.Н., Ершов А.П., Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. Зондовая диагностика боросодержащей плазмы ВЧ- и СВЧ- источников для процессов плазменно-иммерсионной ионной имплантации // Труды ФТИАН: Наука. - 2005. - Т. 18. - С. 189-207.
  80. Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. - М.: Наука, 1972. - 224 с.
  81. Магунов А.Н. Теплообмен неравновесной плазмы с поверхностью. - М.: Физматлит, 2005. - 312 c.
  82. Магунов А.Н. Лазерная термометрия твердых тел. - М.: Физматлит, 2001. - 224 c.
  83. Колпаков В.А., Осипов А.Н. Моделирование характера распределения эквипотенциалей электростатического поля в газоразрядном устройстве высоковольтного типа // Труды IV Международной конференции «БИКАМП-2003», Санкт-Петербург, 2003. - С. 335-338.
  84. Вагнер И.В., Гракун В.Ф., Гохвельд В.Л. // Автоматическая сварка. - 1971. - № 12. - С. 15.
  85. Колпаков В.А., Колпаков А.И. Плазмохимическое травление диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Труды III Международной конференции «БИКАМП-2001», Санкт-Петербург, 2001. - С. 90-92.
  86. Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов И.В. Основы электронно-лучевой обработки материалов. - М.: Машиностроение, 1978. - 222 c.
  87. Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Исследование механизмов формирования низкотемпературной плазмы газовым разрядом высоковольтного типа // Компьютерная оптика. - 2003. - № 25. - С. 112-117.
  88. Молоковский С.И., Сушков А.Д. Интенсивные электронные и ионные пучки. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 304 с.
  89. Пат. 2366978 Российская Федерация, МПК G 01 T 1/29. Способ определения параметров потока заряженных частиц / Сойфер
  90. В.А., Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Паранин В.Д., Десятов М.В.; заявители и патентообладатели Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С.П. Королева, ИСОИ РАН. - № 2008109677 /28(010467); заявл. 11.03.08.
  91. Колпаков В.А., Колпаков А.И. Исследование эффекта увлечения атомов кремния «вакансиями», возникающими в расплаве алюминия при облучении его поверхности ионно-электронным потоком // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25. - В. 15. - С.58-65.
  92. Чернетский А.В. Введение в физику плазмы. - М.: Атомиздат, 1969. - 303 c.
  93. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A. Studies into mechanisms of generating a low-temperature plasma in high-voltage gas discharge // Optical Memory and Neural Networks. - 2006. - № 4. - P. 163-169.
  94. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. - М.: Наука, 1987. - 592 c.
  95. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высшая школа, 1987. - 376 с.
  96. Измайлов С.В. К термической теории испускания электронов под влиянием удара быстрых ионов // ЖЭТФ. - 1939. - Т. 9. - В. 12. - С. 1473-1483.
  97. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В., Паранин В.Д. Исследование механизмов формирования газоразрядной плазмы высоковольтного типа // Сборник статей Всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники». - Пенза, 2006. - С. 35-39.
  98. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках / под ред. С.А Медведева. - М.: Мир, 1974. - 463 с.
  99. Розанов Л.Н. Вакуумная техника. - М.: Высшая школа, 1990. - 320с.
  100. Пат. 2295791 Российская Федерация, МПК7 Н 01 В 7/18. Кабель для электропитания генераторов низкотемпературной плазмы / Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В.; заявитель и патентообладатель ИСОИ РАН. - № 2005118364; заявл. 14.06.05; опубл. 20.03.07, Бюл. № 8. - 5 с.
  101. Колпаков В.А., Паранин В.Д., Мокеев Д.А. Кабель для электропитания генераторов низкотемпературной плазмы // Сборник трудов Международной научно-практической конференции «Современные техника и технологии», Томск. - Т. 1. - 2007. - С. 86-88.
  102. E.Oks, A.Vizir, and G.Yushkov, Rev. Sci. Instrum. 69, 853 (1998).
  103. Патент США US 3831052 А, 20.08.1974.
  104. Патент РФ Плазменный электронный источник ленточного пучка. № 2231164, С1, МПК Кл. H 01 J 37/077, 20.06.2004.
  105. Патент РФ Плазменный электронный источник. № 2215383, С1, МПК Кл. H05H 1/24, H05H 5/00 27.10.2003.
  106. Пат. 2333619 Российская Федерация, МПК Н05Н 1/24. Многолучевой генератор газоразрядной плазмы / Сойфер В.А., Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И.; заявитель и патентообладатель ИСОИ РАН. - № 2006121061; заявл. 13.06.06; опубл. 10.09.08, Бюл. № 25. - 5 с.
  107. Пат. 2339191 Российская Федерация, МПК H05H 1/24, H01J 37/077 Фокусатор газоразрядной плазмы / Сойфер В.А., Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Подлипнов В.В.; заявитель и патентообладатель ИСОИ РАН. - № 2006146571; заявл. 25.11.08; опубл. 20.11.08, Бюл. № 32. - 5 с.
  108. Моро У. Микролитография. Ч.1; пер. с англ. - М.: Мир, 1990. - 605 с.
  109. Полтавцев Ю.Г., Князев А.С. Технология обработки поверхности в микроэлектронике. - Киев: Тэхника, 1990. - 192 с.
  110. Огура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. - М.: Наука, 2006. - 490 с.
  111. Вестфаль О.Л., Мягков А.Т. Методы и средства контроля чистоты и качества поверхности полупроводников // Обзоры по электронной технике. - Сер. 6 «Материалы». - Вып. 9(406). - М.: ЦНИИ «Электроника», 1976. - 35 с.
  112. Богатырев А.Е., Шушунова Л.И., Цыганов Г.М. Новые методы контроля чистоты и дефектности поверхности деталей // Обзоры по электронной технике. - 1980. - № 3 (707). - С. 19-27.
  113. Харрик Н. Спектроскопия внутреннего отражения / пер. с англ. Н. Харрик. - М.: Мир, 1970. - 335 .
  114. Жарких Ю.С., Пастушенко А.М., Мисюра А.В., Тронько Т.В. Влияние химических обработок на гетерогенность поверхностного потенциала кремния // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. - 1977. - № 25. - С. 40-44.
  115. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупро-водников при хемосорбции. - М.: Наука, 1987. - 311 с.
  116. Жарких Ю.С., Евдокимов А.Д., Полтавцев Ю.Г., Левитская Р.О. Сравнение двух способов контроля предокислительных обработок кремниевых пластин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1983. - № 4. - С. 3-4.
  117. Колпаков А.И. Метод определения чистоты поверхности подложек // Электронная промышленность. - 1993. - № 4. - С. 37-39.
  118. Бородин С.А., Волков А.В., Колпаков А.И., Раффельсон Л.Л. Устройство контроля чистоты поверхности подложек // Приборы и техника эксперимента. - 1990. - №5. - С. 230-232.
  119. Фролов Е.С., Минайчев В.Е., Александрова А.Т. Вакуумная техника: справочник / под общ. ред. Е.С. Фролова. - М.: Машиностроение, 1985. - 360 с.
  120. Хебда М. Справочник по триботехнике. В 3т. Т.1. Теоретические основы / под общ. ред. М. Хебды, А.В. Чичинадзе. - М.: Машиностроение, 1989. - 400 с.
  121. Крагельский И.В., Добычин М.Н., Комбалов В.С. Основы расчетов на трение и износ. - М.: Машиностроение, 1977. - 526 с.
  122. Михин Н.М. Механизм внешнего трения твердых тел // Трибология: исследования и приложение: опыт США и стран СНГ; под ред. В.А. Белого, К. Лудемы, Н.К. Мышкина. - М.: Машиностроение, Нью-Йорк: Аллертон пресс, 1993. - С. 29-51.
  123. А. с. 1821688 СССР, МКИ3 Н01 L 21/263. Способ измерения чистоты поверхности подложек / Волков А.В., Колпаков А.И. (СССР). - № 4809005; заявл. 02.04.90; опубл. 12.10.92, Бюл. № 22. - 2 с.
  124. Пат. 2307339 Российская Федерация, МПК7 G 01 N 19/08. Способ измерения чистоты поверхности подложек / Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В., Ивлиев Н.А.; заявитель и патентообладатель ИСОИ РАН. - № 2005118279; заявл. 14.06.05; опубл. 27.09.07, Бюл. № 27. - 5 с.
  125. Гречишников В.М. Метрология и радиоизмерения: учеб. пособие. - Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та, 2007. - 160 с.
  126. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В., Ивлиев Н.А. Исследование особенностей трибометрического взаимодействия диэлектрических подложек при экспресс-контроле степени чистоты их поверхности // Компьютерная оптика. - 2007. - Т. 31. - № 1. - С. 42-46.
  127. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Kolpakov A.I., Kritchevsky S.V., Desjatov M.V. Parameter Optimization of a Tribometric Device for Rapid Assessment of Substrate Surface Cleanliness // Optical Memory and Neural Networks. - 2008. - V. 17. - № 2. - P. 167-172.
  128. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. - М.: Энергия, 1987. - 262 с.
  129. Бакли Дональд. Поверхностные явления при адгезии и фрикционном взаимодействии / под ред. А.И. Свириденко; пер. с англ. А.В. Белого, Н.К. Мышкина.- М.: Машиностроение, 1989. - 359 с.
  130. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Karpeev S.V., Kritchevsky S.V., Ivliev N.A. Interaction of Dielectric Substrates in the Course of Tribometric Assessment of the Surface Cleanliness // Optical Memory and Neural Networks. - 2008. - V. 17. - № 1. - P. 37-42.
  131. Дюваль П. Высоковакуумное производство в микроэлектронной промышленности. - М.: Мир, 1992. - 262 с.
  132. Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. Удаление остаточного резиста с поверхности Si и GaAs с помощью обработки в потоке атомарного водорода // Микроэлектроника. - 2005. - Т. 34. - № 3. - С. 163-171.
  133. Нефедов Д.В., Яфаров Р.К. Влияние взаимодействия СВЧ излучения с плазмой на технологические параметры плазменной обработки // Материалы научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения»: Саратов, 2004. - С. 334-339.
  134. Вишняков А.С., Кагадей В.А., Кожинова Н.И., Проскуровский В.И., Ромась Л.М. Применение очистки поверхности в потоке атомарного водорода при изготовлении омических и барьерных контактов к GaAs и AlxGa1-xAs // Микроэлектроника. - 1999. - Т. 28. - № 6. - С. 442-453.
  135. Пиганов М.Н., Кричевский С.В., Колпаков В.А. Повышение надежности и качества микросборок с нерегулярной структурой // Сборник докладов научной конференции «Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем» - под ред. А.М. Тартаковского, А.В Блоинова. - Пенза: Издательство Пензенского университета, 1997. - С. 32-33.
  136. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Kritchevsky S.V. Simulating the process of dielectric substrate surface cleaning in high-voltage gas discharge plasma // Book of abstracts of international conference «Micro- and nanoelectronics-2005», Zvenigorod. - 2005. - P. 1-43.
  137. Снитковский Ю.П. Очистка поверхности пластин кремния жидкостным травлением для замкнутой системы изготовления в технологии ИС // Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 3. - С. 223-227.
  138. Кирюшина И.В., Красавина Л.З., Просий А.Д., Селиванова И.Н., Яснов В.С. Процессы очистки кремниевых пластин в модифицированных аммиачно- и соляно-перекисных растворах // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2004. - № 1. - С. 53-60.
  139. Pat. 6837944 US, МПК7 C23C16/02, C30B23/02, C30B25/02, H01L21/306, H01L21/02, B08B3/00. Cleaning end drying method and apparatus / Kash­koush Ismail, Chen Gim-Syang, Ciari Richard, Novak Richard E.; Заявитель и патентообладатель Akrion LLC. - №10/091011; заявл. 04.03.02; опубл. 04.01.05. - 2 p.
  140. Грибов Б.Г., Лысак Л.В., Мартемьянов В.С. Новый метод очистки кремниевых пластин // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2006. - № 5. - С. 15-19.
  141. Ковалев А.А. Особенности технологического процесса очистки полупроводниковых структур на основе электрохимического синтеза и рекуперации растворов // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2006. - № 4. - С. 13.
  142. Беклемишев В.И., Левенец В.В., Махонин И.И., Минаждинов М.С., Селецкая И.В. Влияние обработки поверхности подложки на структуру приповерхностного слоя кремния // Электронная промышленность. - 1995. - № 2. - С. 54-56.
  143. Pat. 6837941 US, МПК7 С 23 G1/00. Cleaning and handling methods of electronic component and cleanin apparatus thereof / Hirooka Taisuke, Sakumichi Hidetaka; Заявитель и патентообладатель Neomax Co., Ltd., - № 09/337278; заявл. 22.06.99; опубл. 04.01.05. - 2 p.
  144. Pat. 6755989 US, МПК7 С 9 К 13/00. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrocion inhibitor for cleaning composition containing copper-specific corrosion ingibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate / Wojtczak William A., Seijoo Fatima, Bernhard David, Nguyen Long; заявитель и патентообладатель Advanced Technology Materials Inc., - № 09/818073; заявл. 27.03.01; опубл. 29.06.04. - 2 p.
  145. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Исследование процессов подготовки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий // Микроэлектроника. - 2003. - Т. 32. - № 6. - С. 459-465.
  146. Заявка 147550 ЕПВ, МПК7 С 11 D 3/37, B 08 B 3/00. Composition for removing residues from the microstructure of an object / Peters Darryi W., Egbe Matthew I.; заявитель K.K. KOBE SEIKO SHO. - № 04011792.1; заявл. 08.02.02; опубл. 15.09.04. - 2 p.
  147. Ильин М.К., Филин С.А., Ямпольский В.И. и др. Регенерация моющих композиций на основе фреонов с использованием полимерных мембран // Электронная техника. Сер. 7. ТОПО. - 1991. - Вып. 4 (167). - С. 45-49.
  148. Bennettt Jean M. How to clean surface // 35 Annual Boulder Damage Symposium “Laser Induced Damage in Optical Materials: 2003”, Bolder, Colo, 22-24 Sept., 2003. Proceedings of SPIE. - 2004.  - Vol. 5273. - P. 195-206.
  149. Arhold N. Theoretical description of dry laser cleaning // Applied Surface Science. - 2003. - Vol. 208-209. - P. 15-22.
  150. Norton Mary A., Donohue Eugene E., Hollingsworth William G., McElroy James N., Hacckel Richard P. Growth of laser initiated damage in fused silica at 527 nm // Докл. [35 Annual Boulder Damage Symposium “Laser-Induced Damage in Optical Materials: 2003”]. Proc. SPIE. 2004. -V 5273, - P. 236-243.
  151. Kaufman A.H. Broad-beam ion sources // Review Scientific Instruments. - 1990. - Vol. 61 (II). - P. 230-236.
  152. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Kritchevsky S.V. Simulating the process of dielectric substrate surface cleaning in high-voltage gas discharge plasma // Proceedings of SPIE. - 2006. - V. 6260. - P. 62601V-1 - 62601V-8.
  153. Pat. 6769439 US, МПК7 И 08 И 7/00. Plasma cleaning method and placement area protector used in the method / Tamura Takahiro; заявитель и патентообладатель Anelva Corp., - №09/874325; заявл. 06.06.01; опубл.03.08.04. - 2 p.
  154. Шандриков М.В. Генераторы низкотемпературной плазмы на основе разряда низкого давления с инжекцией электронов из дугового контрагированного разряда: автореферат. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. - Ин-т сильноточ. электрон. СО РАН. - Томск, 2005. - 15 с.
  155. Достанко А.П., Бордусов С.В., Свадковский И.В. и др. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники / под общ. ред. А.П. Достанко. - Минск: ФУАинформ, 2001. - 244 с.
  156. Бордусов С.В. Плазменные СВЧ технологии в производстве изделий электронной техники / под ред. А.П. Достанко. - Мн.: Бестпринт, 2002. - 214 с.
  157. Достанко А.П., Бордусов С.В. Плазменные СВЧ технологии в процессах инженерии поверхности // Физическая инженерия поверхности. - 2003. - Т. 1. - № 1. - С.7-18.
  158. Данилин Б.С. Вакуумно-технические проблемы изготовления сверхбольших интегральных микросхем // Итоги науки и техники. Сер. Электроника. - М.: ВИНИТИ, 1986. - Т.8. - С. 133-157.
  159. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы. - М.: Радио и связь, 1982. - 72 с.
  160. Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю. Подготовка поверхности подложек для изготовления ДОЭ методом послойного наращивания фоторезиста // Компьютерная оптика. - 2003. - № 25. - С. 112-117.
  161. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. - М.: Радио и связь, 1986. - 232 с.
  162. Рязанцев С.С., Гавриленко И.Б., Удалов Ю.П. Использование эффекта полого катода для подготовки диэлектрических подложек перед напылением // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - № 2. - С.132-133.
  163. Pat. 6685803 US, МПК7 B01 J 19/08. Plasma treatment of processing gases / Lazarovich Stela Diamant, Rosenberg Avner, Shiloh Joseph, Statlender Jseph, Wurzberg Elhanan; заявитель и патентообладатель Applied Materials, Inc. - № 09/888191; заявл. 22.06.01; опубл. 03.02.04. - 3p.
  164. Кагадей В.А. Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дисс. доктора физико-математических наук: 01.04.04 и 01.04.10: защищена 2.02.05: / Кагадей Виктор Александрович - Томск, 2002. - 284 с.
  165. Волков А.В., Казанский Н.Л., Костюк Г.Ф., Павельев В.С. Сухое травление поликристаллических алмазных пленок // Компьютерная оптика. - 2001. - № 22. - С. 50-43.
  166. Lu B., Wasson J. R., Han S. I., Mangat P., Golovkina V., Cerrina F. EUV radiation damage test on EUVL mask absorber materials // SPIE Proceedings. - 2003. - Vol. 5256. - P. 1232-1238.
  167. Фареник В.И. Высокочастотные разряды низкого давления в технологии малоэнергоемкого вакуумно-плазменного травления микроструктур // Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2 - № 1. - С. 117.
  168. Uddin M.A., Alam M.O., Chan Y.C., Chan H.P. Plasma cleaning of the flex substrate for flip-chip bonding with anisotropic conductive adhesive film // Journal of Electronic Materials. - 2003. - Vol. 32. - № 10. - P. 1117-1124.
  169. Romanenko S.V., Kagadei V. A., Nefeyodtsev E.V., Proskurovsky D.I. Cleaning of Si and GaAs surface in The atomic Hydrogen flow formed by the source based on low-pressure arc discharge // 7 International Conference on Modification of Materials with PARTICLE Beams and Plasma Flows. - Tomsk, 25-30 July, 2004: Proceedings Tomsk: Inst. Atomos. Opt. SB RAS. 2004. - Р. 271-276.
  170. Белова Н.Г., Валиев К.А., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А. Моделирование вытягивания ионов из источника плазмы высокой плотности для широкопучковой ионной имплантации // Микроэлектроника. - 1999. - Т.28. - № 5. - С. 370-376.
  171. Pat. 6727654 US, МПК7 H01J37/32, H05H1/46, H05B31/26. Plasma processing apparatus / Ogawa Unryu, Sato Takayuki; заявитель и патентообладатель Hitachi Kokusai Electric. Inc. - № 09/756873; заявл. 10.01.01; опубл 27.04.04. - 4 p.
  172. Черножуков Н.И. Химия минеральных масел. - М-Л.: Гостехиздат, 1955. - 322 с.
  173. Потапов В.М. Стехиометрия: учеб. пособие. - М.: Химия, 1976. - 696 с.
  174. Черепнин Н.В. Сорбционные явления в вакуумной технике. - М.: Советское радио, 1973. - 384 с.
  175. Блинов Л.М. Физические свойства и применение ленгмюровских моно- и мультимолекулярных структур // Успехи химии. - 1983. - Т. 52. - № 8. - С. 1263-1300.
  176. Блинов Л.М. Ленгмюровские пленки // Успехи физических наук. - 1988. - Т. 155. - № 3. - С. 443-480.
  177. Дедков Г.В. Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели // УФН. - 2000. - Т. 170. - № 6. - С. 585-618.
  178. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. - Нижний Новгород: РАН Институт физики микроструктур, 2004. - 114 с.
  179. Булатов А.Н., Хартов С.В. Исследование адсорбата воздуха на твердотельных подложках методами атомно-силовой микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2004. - № 4. - С. 9-17.
  180. Колпаков В.А. Моделирование процесса травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника. - 2002. - Т. 31. - № 6. - С. 431-440.
  181. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А. Исследование особенностей процесса анизотропного травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника. - 2004. - Т. 33. - № 3. - С. 218-233.
  182. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Моделирование процесса очистки поверхности диэлектрических подложек в плазме газового разряда высоковольтного типа // Компьютерная оптика. - 2005. - № 28. - С. 80-86.
  183. Киреев В.Ю., Назаров Д.А., Кузнецов В.И. Ионно-стимулированное травление // Электронная обработка материалов. - 1986. - № 6. - С. 40-43.
  184. Киреев В.Ю., Кремеров М.А. Электронно-стимулированное травление // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - 1985. - Вып. 151. - С. 3-12.
  185. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии / под ред. А.В. Шальнова. - М.: Мир, 1985. - 496 с. (Brodie I., Muray J. The Physics of Microfabrication. N.Y., Plenum Press, 1982).
  186. Анисимов Ю. Н., Галибей В. И., Иванченко П. А., Кириченко И. Н., Олещук В. И., Эпимахов Ю. К. Процессы полимеризации и физико-химические методы исследования. - Киев: Вища школа, 1987. - 160 с.
  187. Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа на диоксиде кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа: дисс. канд. физ-мат. наук: 01.04.01: защищена 29.10.04: утв. 11.03.05 / Колпаков Всеволод Анатольевич. - Самара, 2004. - 125 с.
  188. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Моделирование механизма электронно-ионной очистки поверхности диэлектрических подложек // Сборник статей Всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники». - Пенза, 2006. - С. 58-62.
  189. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Метод оценки остаточной концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния // Матерiали VIII мiжнародної науково-технiчної конференцiї “АВIА-2007”. Київ: НАУ. - 2007. - Т.1. - С. 14.5-14.8.
  190. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В., Подлипнов В.В. Исследование механизмов очистки поверхности диэлектрических подложек в плазме газового разряда // Материалы Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций» / под ред. И.Г. Мироненко, М.Н. Пиганова, Самара: СГАУ, 2006. - С. 88-99.
  191. Колпаков В.А. Повышение проводимости контактов сверхминиатюрных реле космического исполнения облучением их поверхности ионно-плазменным потоком // Тезисы докладов I-ой Международной молодежной школы-семинара «БИКАМП-98». - Санкт-Петербург, 1998. - С. 38.
  192. Колпаков В.А., Колпаков А.И., Маклашов В.А., Балакин А.В. Устройство экспресс-контроля параметров полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. - 1998. - № 6. - С. 142.
  193. Seidel C., Kopf H., Gotsmann B., Vieth T., Fuchs H., Reihs K. Ar plasma treated and Al metallised polycarbonate: a XPS, mass spectroscopy and SFM study // Appl. Surface Sci. - 1999. - V.150. - № 1-4. - P. 19-33.
  194. Brown J.D., Govers M.R. Study of titanium - nitrogen films deposited in an electron beam evaporation unit // J. Vac. Sci. and Technol., A. - 1995. - V. 13. - № 5. - P. 2328-2335.
  195. Spool A.M. Studies of adhesion by secondary ion mass spectrometry // IBM J. Res. and Dev. - 1994. - V. 38. - №4. - P. 391-411.
  196. Minoru Sasaki, Kazuhiro Hane, Shigeru Okuma, Akihiro Torii. Scanning force microscope technique for adhesion distribution measurement // J. Vac. Sci. and Technol. B. - 1995. - V.13. - № 2. - P. 350-354.
  197. Щербина Г.И., Топоров Ю.П., Акимов А.В., Алейникова И.Н. Автоматизированный зонд для определения адгезионных свойств поверхности // Приборы и техника эксперимента. - 1999. - № 3. - С. 143-145.
  198. Дерягин Б.В., Кротова Н.А., Смилга В.П. Адгезия твердых тел. - М.: Наука, 1973. - 260 с.
  199. Chopra K.D. Thin Film Fenomena. - N.Y.: Mc.Graw-Hill, 1969. - P. 313.
  200. Берштейн В.А., Зайцева В.П., Никитин В.В., Жаров В.А. О действии тлеющего разряда на поверхность стекла // Физика и химия обработки материалов. - 1979. - № 4. - С. 147-150.
  201. Коваленко В.В., Упит Г.П. Влияние способа подготовки поверхности стекла на адгезию к нему вакуумных конденсатов индия // Физика и химия обработки материалов. - 1983. - № 6. - С. 77-80.
  202. Коваленко В.В., Варченя С.А. Влияние плазмы тлеющего разряда на адгезию металлических конденсатов к диоксиду кремния и материалам на его основе // Физика и химия обработки материалов. - 1988. - № 1. - С. 63-68.
  203. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: Высшая школа, 1974. - 400 с.
  204. Грицина В.Т., Поляков Н.И., Полторацкий Ю.Б. Малогабаритная прецизионная разрывная машина // Заводская лаборатория. - 1973. - № 2. - С. 35-236.
  205. Коптенко В.М., Кононенко Ю.Г. Сравнение основных источников углеводородных загрязнений при вакуумном осаждении тонких пленок. Получение и свойства тонких пленок // Сборник научных трудов. - Киев: Наукова думка, 1982. - С. 5-12.
  206. Данилин Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем. - М.: Энергия, 1972. - 256 с.
  207. Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. Ч. 2. / под ред. Р.Х. Тимерова. - М.: Мир, 1990. - 632 с. (Wayne M. Moreau. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials. N.Y. and London, Plenum Press, 1988).
  208. Физико-химические свойства элементов: справочник / под ред. Г.В. Самсонова. - Киев: Наукова думка, 1965. - 807 с.
  209. Семм Б.Ф., Горюнов Ю.В. Физико-химические основы смачивания и растекания. - М.: Химия, 1976. - 232 с.
  210. Каракозов Э.С., Карташкин Б.А., Шоршонов М.Х. О кинетике процесса образования соединения при сварке в твердом состоянии однородных металлов // Физика и химия обработки материалов. - 1968. - № 3. - С.113-122.
  211. Вятскин А.Я., Махов А.Ф. Торможение электронов в некоторых металлах и полупроводниках // ЖТФ. - 1958. - Т. 28. - № 4. - С. 740-747.
  212. Афанасьев В.П., Лубенченко А.В., Рыжков А.А. Потери энергии киловольтными электронами при простреле слоев твердого тела // Поверхность. - 1996. - № 1. - С. 6-17.
  213. Дудко Г.В., Колегаев М.А., Чередниченко Д.И. О возможных механизмах образования и распределение дефектов в кремнии и германии при электронно-лучевом нагреве // Физика и химия обработки материалов. - 1970. - № 2. - С. 25-29.
  214. Solid state physics / Eds Seits F., Turnbull D. - London, Acad. Books Ltd., 1956. - 468 P.
  215. Радиационно-активируемые процессы в кремнии / под ред. Ш.А. Вахидова. - Ташкент: Фан УзССР, 1977. - 170 с.
  216. Полянин А.Д. Справочник по линейным уравнениям математической физики. - М.: Физматлит, 2001. - 576 с.
  217. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: справочник - М.: Наука, 1978. - 710 с.
  218. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Paranin V.D., Polikarpov M.S. The method of thin metal films adhesion increasing for the lowered dimensions structures // Proceedings of SPIE. - 2008. - V. 7025. - P. 70250H-1 - 70250H-9.
  219. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Поликарпов М.С. Метод увеличения адгезии тонких металлических пленок в структурах пониженной размерности // Сборник материалов «Наноматериалы технического и медицинского назначения» III международной школы «Физическое материаловедение»; под ред. А.А. Викарчука. - Тольятти: ТГУ, 2007. - С. 353-355.
  220. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Paranin V.D., Polikarpov M.S. The method of thin metal films adhesion increasing for the lowered dimensions structures // Book of abstracts of international conference «Micro- and nanoelectronics - 2007». - Zvenigorod, 2007. - P. 1-44.
  221. Валиев К.А., Мхвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. Механизм плазмохимического травления полимеров // Доклады АН СССР. - 1985. - Т. 283. - № 2. - С. 366-369.
  222. Сарычев М.Е. Нелинейно-диффузионная модель процесса плазмохимического травления полимерных резистов. Моделирование технологических процессов микроэлектроники / под ред. Т.М. Мхвиладзе // Труды ФТИАН. Т. 3. - М.: Наука, 1992. - С. 74-84.
  223. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. - М.: Радио и связь, 1983. - 126 c.
  224. Багрий И.П., Чечко Г.А. Моделирование процессов плазмохимического травления в технологии производства ИС. - Киев, 1989. - 21 с. (Препринт / Ин-т кибернетики им. М.М. Глушкова АН УССР, 89-46).
  225. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В., Ивлиев Н.А. Исследование механизма трибометрического взаимодействия диэлектрических подложек в устройстве контроля чистоты их поверхности // Сборник статей Всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники». - Пенза, 2006. - С. 32-35.
  226. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. Неразрушающая диагностика чистоты поверхности диэлектрических подложек // Материалы VII Международной научно-технической конференции «АВИА-2006». - Киев: НАУ, 2006. - Т. 1. - С. 11.65-11.68.
  227. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Кричевский С.В., Подлипнов В.В. Динамический испаритель материалов сложного состава // Сборник статей Всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники». - Пенза, 2006. - С. 25-27.
  228. Пат. 2348738 Российская Федерация, МПК С23С 14/24 Испаритель многокомпонентных растворов / Сойфер В.А., Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Подлипнов В.В.; заявитель и патентообладатель Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С.П. Королева, ИСОИ РАН. - № 20071112611; заявл. 04.04.07; опубл. 10.03.09, Бюл. № 7. - 5 с. 
  229. Flamm D.L. Measurements and mechanisms of etchant production during the plasma oxidation of CF4 and C2F6 // Solid State Technol. - 1979. - V. 22. - № 4. - Р. 109-116.
  230. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Моделирование механизма ионно-плазменной очистки поверхности диэлектрических подложек // Сборник материалов II-го Международного симпозиума «Аэрокосмические приборные технологии», Санкт-Петербург, 2002. - С. 89-90.
  231. Gerlach-Meyer V. Ion enhanced gas-surface reactions: A kinetic model for the etching mechanism // Surface Sci. - 1981. - V. 103. - № 213. - Р. 524-534.
  232. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда. - М.: Госатомиздат, 1961. - 323 с.
  233. Yasunori Ohtsu, Hitoshi Matsuo, Hiroharu Fujita. Spatial structure of electrons and fluorine atoms in a CF4 RF magnetron plasma // Plasma Sources Sci. and Technol. - 1996. - Vol. 5. - № 2. - Р. 344-348.
  234. Daiyu Hayashi, Masahiko Nakamoto, Noriharu Takada, Koichi Sasaki, Kiyoshi Kadota. Role of reaction products in F production in low-pressure, high-density CF4 plasmas // Jap. J. Appl. Phys. - 1999. - Pt. 1. - V. 38. - № 10. - Р. 6084-6089.
  235. Kouji Kaga, Takashi Kimura, Takao Imaeda, Kazuyuki Ohe. Spatial structure of electronegative Ar/CF4 plasmas in capacitive RF discharges // Jap. J. Appl. Phys. - 2001. - Pt. 1. - V. 40. - № 10. - Р. 6115-6116.
  236. Калиткин Н.Н. Численные методы. - М.: Наука, 1978. - 512 с.
  237. Мышкина В.В., Колпаков В.А. Применение метода конформного отображения для расчета распределения электростатического поля в газоразрядных устройствах высоковольтного типа // Тезисы докладов Международного се­ми­нара «Дифференциальные уравнения и их приложения». - Самара, 1996. - С. 32.
  238. Лукичев В.Ф., Юнкин В.А. Масштабирование скорости травления и подобие профилей при плазмохимическом травлении // Микроэлектроника. - 1998. - Т.27. - № 3. - С. 229-239.
  239. Coburn J.W., Winters H.F., Chuang C.J. Ion-surface interactions in plasma etching // J. Appl. Phys. - 1977. - V. 48. - № 8. - Р. 3532-3540.
  240. Coburn J.W., Winters H.F. Ion- and electron assisted gas surface chemistry.- An important effect in plasma etching // J. Appl. Phys. - 1979. - V. 50. - № 5. - Р. 3189-3196.
  241. Kazanskiy N., Kolpakov V. Simulation of technological process by etching of microstructures in high-voltage gas discharge plasma // Abstracts of international conference “Micro- and nanoelectronics-2003”. - Zvenigorod, 2003. - P.1-53.
  242. Kazanskiy N., Kolpakov V. Simulation of technological process of microstructures etching in high-voltage gas discharge plasma // Proceedings of SPIE. - 2004. - Vol. 5401. - Р. 648-654.
  243. Волков А.В., Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Моделирование процесса плазмохимического травления микроструктур на кварцевых подложках // Труды Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника-2001». - Звенигород, 2001. - С. 198-199.
  244. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. - М.: Высшая школа, 1984. - 320 с.
  245. Волков А.В., Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Расчет скорости плазмохимического травления кварца // Компьютерная оптика. - 2001. - № 21. - С. 121-125.
  246. Harsberger W.R., Porter R.A. Spectroscopic analysis of RF plasmas // Solid State Technol. - 1979. - V. 22. - № 4. - Р. 90-103.
  247. Horiike Y. Dry etching: an overview // Jap. Annual Reviews in Electronics, Computers and Telecommunicated Semiconductor Technologies. - 1983. - V. 8. - Р. 55-72.
  248. Poulsen R.G., Brochu M. Importance of temperatura and temperature control in plasma etching. - Nj: Si Bricond Silicon, 1973.
  249. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. - М.: Наука, 1974. - 224 с.
  250. Алифанов О.М. // ИФЖ. - 1983. - Т.45. - № 5. - С. 742-752.
  251. Вабищевич П.Н., Пулатов П.А. // ИФЖ. - 1986. - Т. 51. - № 3. - С.470-474.
  252. Самарский А.А., Выбищевич П.Н. Вычислительная теплопередача. - М.: Наука, 2003. - 782 с.
  253. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А., Паранин В.Д. Метод определения температуры поверхности в области её взаимодействия с потоком низкотемпературной плазмы // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77. - Вып. 12. - С. 21-25.
  254. Алифанов О.М. Обратные задачи теплообмена. - М.: Машиностроение, 1988. - 279 с.
  255. Carslaw H.S., Jaeger J.C. Conduction of heat in solids. - Oxford: Clarendon Press, 1956. (Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. - М.: Наука, 1964).
  256. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. - М.: Изд-во МГУ, 1999. - 798 с.
  257. Диткин В.А., Прудников А.П. Интегральные преобразования и операционное исчисление. - М.: Наука, 1974. - 542 с.
  258. Таблицы физических величин: справочник / под общ. ред. И. К. Кикоина. - М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.
  259. Малкович Р.Ш.  // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - Вып. 21. - С.91-94.
  260. Карташов Э.М. Аналитические методы в теплопроводности твердых тел. - М.: Высшая школа, 2001. - 552 с.
  261. Пат. 2328707 Российская Федерация, МПК7 Н 01 В 7/18. Способ измерения температуры поверхности образца, облучаемого газоразрядной плазмой / Сойфер В.А., Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Паранин В.Д.; заявитель и патентообладатель ИСОИ РАН. - № 2005118364; заявл. 14.06.05; опубл. 10.07.08, Бюл. № 8. - 5 с.
  262. Колпаков В.А. Механизм адгезии в структурах металл - диэлектрик после бомбардировки потоком заряженных частиц. Ч. 1. Моделирование механизма увеличения адгезии // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - № 5. - С. 41-48.
  263. Колпаков В.А. Механизм адгезии в структурах металл - диэлектрик после бомбардировки потоком заряженных частиц. Ч. 2. Влияния параметров бомбардировки на адгезию // Физика и химия обработки материалов. - 2007. - №.1. - С. 53-58.
  264. Попов В.К. // Физика и химия обработки материалов. - 1967. - № 4. - С. 11-24.
  265. Бартенев Г.М., Бартенева А.Г. Релаксационные свойства полимеров. - М.: Химия, 1992. - 384 с.
  266. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников / под ред. И.П. Звягина. - М.: Мир, 1990. - 488 с. (Friedhelm Bechstedt, Rolf Enderlein. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Berlin, Akademie-Verlag, 1988).
  267. Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Эффект объемной модификации полимеров в направленном потоке низкотемпературной плазмы // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79. - Вып. 9. - С.41-46.
  268. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / под ред. проф. Я.С. Уманского. - М.: Гос. изд-во физ.-мат. литературы, 1961. - 863 с.
  269. Способ изготовления дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных пленках / Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. // Патент на изобретение №2197006 от 20.01.03 по заявке № 2001108328/12(008621) от 27.03.2001. Бюл. №2.
  270. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. - Л.: Наука, 1975. - С. 380, 381, 390.
  271. Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. - Л.: Наука, 1972. - 250 с.
  272. Киреев П.С. Физика полупроводников. - М.: Высшая школа, 1975. - 584 с.
  273. Юдин В.В. Микролегирование кремния с помощью электронно-лучевого нагрева // Электронная обработка материалов. - 1977. - № 3 (33). - С. 27-30.
  274. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. - Л.: Наука, 1972. - 379 с.
  275. Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р., Вавилов В.С. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. - 368 с.
  276. Валиев К.А., Раков В.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. - М.: Радио и связь, 1984. - 350 с.
  277. Справочник химика. Т. 1. - М.: Химия, 1966. - 1071 с.
  278. Физический энциклопедический словарь. Т. 2. - М.: Советская энциклопедия, 1962. - 608 с.
  279. Комов А.Н., Колпаков А.И., Рафаевич Б.Д. // Электронная техника. - 1979. - Сер. 7. - вып. 5(96). - С. 7-10.
  280. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А. Исследование механизмов формирования каталитической маски при облучении структуры алюминий-кремний частицами газового разряда высоковольтного типа // Компьютерная оптика. - 2002. - № 24. - С. 84-90.
  281. Маслов А.А. Технология и конструкции полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1970. - 296 с.
  282. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. - М.: Наука, 1972. - 659 с.
  283. Марчук Г.И., Шайдуров В.В. Повышение точности решений разностных схем. - М.: Наука, 1979.
  284. Самарский А.А. Теория разностных схем. - М.: Наука, 1977.
  285. Kazanskiy N. L., Kolpakov V.A., Kolpakov A.I. Studies into a Mechanism of Catalytic Mask Generation in Irradiation of an Al-Si Structure with High-Voltage Gas-Discharge Particles // Optical Memory and Neural Networks. - 2005. - V.14. - № 3. - P. 151-159.
  286. Колпаков А.И., Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Исследование механизмов формирования каталитической маски микрорельефа оптических элементов при облучении структуры Al-Si частицами газового разряда высоковольтного типа // Труды Международной конференции «Математическое моделирование». - Самара, 2001. - С. 133-135.