ИСОИ / Mоделированиe субволновых антиотражающих структур

МОДЕЛИРОВАНИЕ СУБВОЛНОВЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ СТРУКТУР

На основе разностного решения системы уравнений Максвелла проведено моделирование субволновых антиотражающих структур, сформированных технологией абляции поверхности алмазной пленки с использованием эксимерного УФ-лазера и являющихся в общем случае непериодическими. При этом применялись две методики: основанная на исследовании результирующего поля и характеризуемая наличием границы раздела полей на результирующее и рассеянное. Для реализации первого подхода было сформулировано "прозрачное" излучающее условие, значительно превосходящее известные аналоги по точности. Это позволило провести корректное сравнение полученных результатов с данными, найденными с помощью теории эффективных сред, и убедиться в адекватности разностного подхода. В отличие от теории эффективных сред предложенный метод уместен для оценки модового состава прошедшей и отраженной от антиотражающей поверхности электромагнитных волн. Излучающее условие второго подхода было модифицировано с учетом неоднородности оболочки, заключающей область вычислительного эксперимента. Традиционное численное условие подразумевало исследование всего дифракционного элемента целиком, в то время как интерес представляет процесс дифракции падающей волны исключительно на микрорельефе ДОЭ. Указанная модификация позволила ограничить вычислительную область внешней средой с одной стороны и подложкой ДОЭ - с другой, поместив в такую область лишь микрорельеф ДОЭ с антиотражающим покрытием. Полученное сокращение вычислительной сложности алгоритма пропорционально отношению толщины всего ДОЭ с подложкой к высоте микрорельефа, которое обычно составляет несколько порядков.